3D TLC经典之作 三星860 EVO 250GB详细图文评测

产品性能测试：

这边启用了一套新的测试标准用于横向对比。测试环境为SSD经过全盘擦写和重新分区，消除新盘的鸡血状态。

连续读写性能选取HD Tune的大文件读写测试，文件大小为50GB。

4K随机性能采用IOMeter混合读写，分别进行QD1的浅队列和QD32的深队列测试。因为日常使用中不会存在纯粹的读写行为，会在读写测试中反向混入25%的负载（例如读取测试中75%读取，25%写入）。

现在部分SSD会通过玩命调教固件来提升4K的随机数值，所以这边引入4K离散值统计来让那些表面SSD露出原型。公式中会包含对不同SSD IOPS平均值的补偿，不会出现性能低的SSD，离散会较低的BUG。

IO延迟的部分则会采用AS SSD 10G文件测试，连续三次读写延迟的数据取平均值。

以下为横向统计的图表，相对于其他的SATA SSD来说，860 EVO的优势还是比较大的。

下图是离散部分的测试，可以看到在QD1浅队列下860 EVO的离散稳定性比较相当好。在QD32深队列下860 EVO的读取依然比较稳定，但是写入性能波动比较大，应该是SLC缓存持续介入导致的。

因为写入离散的问题，所以最终我没有选择用860 EVO作为我目前SSD横向对比的测试标杆。

常规产品性能测试大致会分为三段。

开箱性能测试，这个环节可以测试出SSD在最好状态下大致可以达到什么性能。

压力测试，这个环节通过长时间满载写入，用于测试SSD在极端压力下性能会到什么程度。

日常状态测试，在压力测试之后，会通过一小时待机和重新分区让SSD重新恢复，来体现日常使用中的性能表现。

这里首先抓最有看头的SSD压力测试。在新盘状态下HD Tune的读写曲线大致在336MB/307MB的程度。可以看到860 EVO同样有设置SLC缓存， SLC缓存中性能可以达到375MB左右，大小约为8G。读取性能显得比较一般，曲线也不是很好看，但是写入性能表现较好。

对SSD的擦除采用HD Tune对SSD进行持续擦写，截图中可以看到860 EVO的写入速度始终维持在300~350之间，这个表现对于一颗250G SSD来说已经是相当好了。这边对SSD连续写入了一个小时。

在完成压力测试后读写性能大致在337MB/254MB这样，读取变化不大，写入有衰减但不算特别严重。

在待机一小时之后，读写性能提升到356MB/302MB。写入曲线恢复了比较多，表现已经算不错了。